SiC MOSFET因其优良的性能，引起业界广泛关注。同时因其独特的材料特性及器件结构，SiC MOSFET的可靠性也是工程师的非常关心的问题。英飞凌2021年推出了3万字的白皮书，全面梳理了SiC MOSFET可靠性的问题（白皮书下载请点击：英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性）。下面的视频为英飞凌2021年SiC论坛视频回放，解读了英飞凌SiC可靠性白皮书的重点内容。 点击上方视频，即可播放观看▲
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英飞凌推出的3.3kV CoolSiC™ MOSFET XHP2模块，结合创新的“.XT互连技术”，为高压牵引系统提供了更高性能的解决方案。
英飞凌宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列，继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进，并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。
EasyPACK™ 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK™ 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK™ 1C 1200V 13mΩ四单元模块，搭载第二代CoolSiC™ MOSFET技术。。。
安克推出的Anker Prime 160W三口充电器，专为差旅和桌面使用设计，采用 GaN 氮化镓方案，三个 USB-C 输出口单口可支持 140W，三台设备同时充电时总功率可达 160W，可满足多设备同时高效充电需求。
采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET G2 1400V功率器件，是电动汽车充电、储能系统、工业变频器等大功率输出应用的理想选择。
第五代650-700V GaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。
英飞凌为Thistle Technologies提供OPTIGA™ Trust M安全解决方案。
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