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安世 | 推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

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业内唯一可同时提供级联型(cascade)和增强型(e-mode)氮化镓器件的供应商。

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业内唯一可同时提供级联型(cascade)和增强型(e-mode)氮化镓器件的供应商。


基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的 E-mode(增强型)功率 GaN FET 。Nexperia(安世半导体)在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型 E-mode 器件,从 GaN FET 到其他硅基功率器件, Nexperia(安世半导体)丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。

Nexperia(安世半导体)的新产品包括五款额定电压为 650 V 的 E-mode GaN FET(RDS(on)值介于 80 mΩ 至 190 mΩ 之间),提供 DFN 5x6 mm 和 DFN 8x8 mm 两种封装。这些产品可在高电压(< 650 V)、低功率的数据通讯/电信、消费类充电、太阳能和工业应用中提高电源转换效率,还可用于高精度无刷直流电机和紧凑型服务器设计,以实现更高扭矩和更大功率。 

Nexperia(安世半导体)现还提供采用 WLCSP8 封装的100 V(3.2 mΩ)GaN FET 和采用 FCLGA 封装的150 V(7 mΩ)GaN FET 。这些器件适合各种低电压(<150 V)、高功率应用,例如,数据中心使用的高效 DC-DC 转换器、快速充电(电动出行类和 USB-C 类)、小尺寸 LiDAR 收发器、低噪声 D 类音频放大器以及功率密度更高的消费类设备(如手机、笔记本电脑和游戏主机)。 

在许多功率转换应用中, GaN FET 凭借紧凑型解决方案尺寸能实现更高的功率效率,从而显著降低物料(BOM)成本。因此, GaN 器件在主流电力电子市场逐渐得到了广泛应用,包括服务器计算、工业自动化、消费类应用和电信基础设施。基于 GaN 的器件具备快速转换/开关能力(高 dv/dt 和 di/dt),可在低功率和高功率转换应用中提供出色的效率。Nexperia(安世半导体)的 E-mode GaN FET 具有出色的开关性能,这得益于极低的 Q和 QOSS 值,并且低 RDS(on) 有助于实现更高的功率效率设计。 

这些新器件进一步扩充了 Nexperia(安世半导体)丰富的 GaN FET 产品系列,适合各种功率转换的应用。产品组合包括支持高电压、高功率应用的级联器件,支持高电压、低功率应用的 650 V E-mode 器件和支持低电压、高功率应用的 100/150 V E-mode 器件。此外, Nexperia E-mode GaN FET 采用8英寸晶圆生产线制造以提高产能,符合工业级的 JEDEC 标准。Nexperia(安世半导体)的 GaN 器件产品系列不断扩充,充分体现了 Nexperia(安世半导体)坚守承诺,促进优质硅器件和宽禁带技术发展的决心。 


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