首页 > 资讯 > > ROHM | 采用自有的电路和器件技术“TDACC™”,开发出有助于安全工作和减少功率损耗的小型智能功率器件

ROHM | 采用自有的电路和器件技术“TDACC™”,开发出有助于安全工作和减少功率损耗的小型智能功率器件

订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等,已有7人订阅
+订阅 已订阅
通过替代机械继电器和MOSFET,实现汽车和工业设备市场所需的功能安全

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向引擎控制单元和变速箱控制单元等车载电子系统、PLCProgramable Logic Controller)等工业设备,开发出40V耐压单通道和双通道输出的智能低 边开关* 1Intelligent Power Device,以下简称IPD)“BV1LExxxEFJ-C/ BM2LExxxFJ-C系列”,此次共推出8款产品。


upfile


近年来,在汽车和工业设备领域,围绕自动驾驶(自动化)的技术创新日新月异,对安全性的要求也 越来越高。在进行设备开发时,必须考虑到如何在紧急情况下确保功能安全* 2。传统上,通常采用机械继电 器或MOSFET来执行电子电路的ON/OFF控制,但它们在系统故障时不具备相应的保护功能。从功能安全的 角度来看,IPD具有保护功能,而且在寿命和可靠性方面也表现非常出色,因而得以日益普及,其市场规模 正在不断扩大。针对市场对提升可靠性的需求,ROHM早在2014年就开始构建IPD专用工艺。此次通过进一 步提高专用工艺的电流承载能力,并结合ROHM的模拟设计技术优势,打造了更广泛的产品阵容。


IPD不仅可以进行电子电路的ON/OFF控制,还内置有保护功能,可保护电路免受电气故障(异常时的 过电流)的影响,有助于构建安全且可靠性高的系统。新产品配置在电机和照明等被控设备的下侧(接地 侧)电路中,从电路结构方面看,具有可轻松替代机械继电器和MOSFET、易于设计的优点。


IPD内部的功率MOSFET部分在关断时会因反电动势* 3而发热,新产品采用ROHM自有的电路和器件技术“TDACC™* 4,通过优化控制流过电流的通道数量,在保持小型封装的前提下抑制了发热量并实现了 低导通电阻* 5,这些特性在小型IPD中是很难同时兼顾的。这将非常有助于各种设备的安全运行和减少功率 损耗。采用TDACC™技术可以进一步缩小封装,从而成功地实现了业界尚不多见的SOP-J8封装双通道输出 40mΩ(导通电阻)的产品。单通道和双通道产品均有4080160250mΩ多种导通电阻值可选,能够满 足客户多样化的需求。另外,新产品的接触放电耐受能力(表示对过电流浪涌的耐受能力)也高于普通产 品,这将有助于各种设备的安全工作。


新产品已于202210月开始暂以系列合计月产60万个的规模投入量产。现已开始网售,可从Oneyac电商平台购买。


未来,ROHM计划将采用TDACC™技术的IPD专用工艺进一步微细化,开发更低导通电阻、更小型、更多功能、更多通道的系列IPD产品,通过丰富的产品阵容为汽车和工业设备应用的安全、安心和节能贡献力量。


upfile


upfile


<新产品阵容>

upfile


<应用示例>

BCMBody Control Module)、外饰灯和内饰灯、引擎、变速箱等车载电子设备

PLCProgramable Logic Controller)等工业设备 以及其他各种应用。 


<电商销售信息> 

开始销售时间:202212月起 

电商平台:Oneyac

upfile


<与普通开关的比较>

◇与机械继电器的比较

upfile


◇与MOSFET的比较

upfile


<高边IPD与低边IPD的比较>

upfile


<术语解说>

*1) 智能高低边开关(IPD) 

不仅可控制电子电路的ON/OFF,还可以保护电路免受电气故障(异常时的过电流)影响的器件。与传统的 机械继电器不同,这种器件没有机械触点,因此在寿命、可靠性和静音方面都表现出色。另外,MOSFET 作为普通的半导体开关器件,可能会因过电流而损坏,而IPD则内置保护功能,可以用来构建更安全和更高 可靠性的系统。


*2) 功能安全 功能安全是“通过监控设备和防护设备等附加功能来降低风险的措施”,是安全措施(出于确保安全的考 虑)的一种。汽车领域的功能安全是指由于电子系统故障等导致功能障碍的情况下,把危险降低到不对人 体产生危害的程度而进行的安全保护。


*3) 反电动势 电机和线圈等感性负载具有试图保持电流持续流动的性质,也就是在IPD关断时试图让电流继续流动而产生 的能量。


*4) TDACC™ ROHM自有的电路和器件技术。IPD内部的功率MOSFET部分在关断时会因反电动势而发热,通过优化控制 流过电流的通道数量,实现了在保持小型封装的前提下很难同时兼顾的低发热量和低导通电阻。


*5) 导通电阻 MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越低,导通时的损耗(功率损耗)越少。


>>>点击进入唯样商城ROHM官方授权品牌站


点赞 (0)

收藏 (0)

最新文章

查看更多

热门标签

热门文章

唯样公众号二维码

扫描二维码,获取更多的唯样商城产品、技术资讯。
公众号:oneyac

上一篇:

ROHM | 开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

下一篇:

科达嘉 | 极低损耗、极佳绝缘效果的超级大电流电感CPFL3020系列

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售