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Nexperia | 适用于热插拔的新款特定应用MOSFET (ASFET)将SOA增加了166%,PCB面积减小80%

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基础半导体器件领域的专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出新款 80 V 和 100 V ASFET,新器件增强了 SOA 性能,适用于 5G 电信系统和 48 V 服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要 e-fuse 和电池保护的工业设备。 唯样商城作为安世半导体国内线上授权分销商,拥有安世半导体广泛型号产品现货

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ASFET 是一种新型 MOSFET,经过优化,可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数,有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数,以实现全新性能水平。新款热插拔ASFET将Nexperia的最新硅技术与铜夹片封装结构相结合,显著增强安全工作区(SOA)并最大限度缩小PCB面积。

以前,MOSFET深受 Spirito 效应的影响,导致 SOA 性能因在较高电压下的热不稳定性而迅速下降。Nexperia(安世半导体)坚固耐用的增强型 SOA 技术消除了“Spirito-knee”,与前几代 D2PAK 相比,在 50 V 时 SOA 增加了 166%。

另一项重要改进是数据手册中添加了 125℃ SOA 特性。Nexperia(安世半导体)国际产品高级营销经理 Mike Becker 表示:“以前只在25℃时指定 SOA,这意味着在高温环境中的操作,设计师必须进行降额。我们的新款热插拔 ASFET 包括 125℃ SOA 规范,消除了该耗时的任务,并证实了 Nexperia(安世半导体)的器件即使在高温下也具有出色的性能。

全新 PSMN4R2-80YSE(80 V,4.2 m)和 PSMN4R8-100YSE(100 V,4.8 m)热插拔 ASFET 采用兼容 Power-SO8 的 LFPAK56E 封装。该封装独特的内部铜夹片结构提高了热性能与电气性能,同时大大减小了管脚尺寸。 全新的 LFPAK56E 产品尺寸仅为 5 mm x 6 mm x 1.1 mm,与上一代 D2PAK 相比,PCB 管脚尺寸和器件高度分别缩小 80% 和 75%。此外,器件的最大结温为 175℃,符合 IPC9592 对电信和工业应用的规定。

Becker 补充道:“另外一个优点是在需要多个热插拔 MOSFET 并联使用的高功率应用中,使均流能力得到改善从而提高了可靠性并降低了系统成本, Nexperia 被广泛认为是热插拔 MOSFET 市场领导者。凭借这些最新的 ASFET,我们再一次提高了标准。”

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