ASFET 是一种新型 MOSFET，经过优化，可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数，有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数，以实现全新性能水平。新款热插拔ASFET将Nexperia的最新硅技术与铜夹片封装结构相结合，显著增强安全工作区（SOA）并最大限度缩小PCB面积。

以前，MOSFET深受 Spirito 效应的影响，导致 SOA 性能因在较高电压下的热不稳定性而迅速下降。Nexperia（安世半导体）坚固耐用的增强型 SOA 技术消除了“Spirito-knee”，与前几代 D2PAK 相比，在 50 V 时 SOA 增加了 166%。

另一项重要改进是数据手册中添加了 125℃ SOA 特性。Nexperia（安世半导体）国际产品高级营销经理 Mike Becker 表示：“以前只在25℃时指定 SOA，这意味着在高温环境中的操作，设计师必须进行降额。我们的新款热插拔 ASFET 包括 125℃ SOA 规范，消除了该耗时的任务，并证实了 Nexperia（安世半导体）的器件即使在高温下也具有出色的性能。”

全新 PSMN4R2-80YSE（80 V，4.2 m）和 PSMN4R8-100YSE（100 V，4.8 m）热插拔 ASFET 采用兼容 Power-SO8 的 LFPAK56E 封装。该封装独特的内部铜夹片结构提高了热性能与电气性能，同时大大减小了管脚尺寸。 全新的 LFPAK56E 产品尺寸仅为 5 mm x 6 mm x 1.1 mm，与上一代 D²PAK 相比，PCB 管脚尺寸和器件高度分别缩小 80% 和 75%。此外，器件的最大结温为 175℃，符合 IPC9592 对电信和工业应用的规定。

Becker 补充道：“另外一个优点是在需要多个热插拔 MOSFET 并联使用的高功率应用中，使均流能力得到改善，从而提高了可靠性并降低了系统成本， Nexperia 被广泛认为是热插拔 MOSFET 市场领导者。凭借这些最新的 ASFET，我们再一次提高了标准。”

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