全球知名半导体制造商 ROHM（总部位于日本京都市）开发出小型高效的肖特基势垒二极管（以下简称 SBD^※1） “RBR 系列”共12 款产品，“RBQ 系列”共12 款产品，这些产品非常适用于车载设备、工业设备和消费电子设备等各种电路的整流和保护。至此，这两个系列的产品阵容中已达178 款产品。

  在各种应用产品中，通常使用二极管来实现电路整流和保护。随着各种应用产品对更低功耗的要求，比其他二极管效率更高的 SBD 正越来越多地被采用。另一方面，如果为了追求效率而降低 V_F，则存在此消彼长关系的 I_R 将会升高， 热失控的风险会随之增加，因此在设计电路的过程中，选择SBD 时需要很好地权衡V_F 和I_R，这一点很重要。

  在这种背景下，ROHM 追求低 V_F 特性和低 I_R 特性之间的平衡，并进一步加强了 SBD 小型化产品阵容，以车载市场为中心创造了非常优异的业绩。此次，ROHM 针对已经颇具量产成果的RBR 和RBQ 系列，面向大电流、高电压和小型化，进一步扩大了产品阵容，从而可以在更广泛的应用中实现整流和保护工作。

  通过采用新工艺，RBR 系列和RBQ 系列的芯片性能都得到很大提升，与ROHM 以往产品相比，效率提高了25%。

  不仅如此，RBR 系列具有出色的低V_F（正向电压）^※2 特性（该特性是提高效率的关键），并实现了低损耗。该系列产品非常适用于要求提高效率的应用，比如车载设备中的车载充电器，以及消费电子设备中的笔记本电脑等。此次又新增了12 款小型封装产品，还将有助于削减安装面积（比以往产品少42%）。

  而RBQ 系列则具有出色的低I_R（反向电流）^※3 特性，可在高温环境下稳定工作，尤其是可降低SBD 可能会发生的热失控^※4 风险。非常适用于需要在高温环境中工作的汽车动力系统和工业设备的高电压电源等应用。为满足更高耐压的需求，此次又新增了12 款100V 产品。此外，RBR 系列和RBQ 系列均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101^※5， 可确保高可靠性。

  这两个系列的新产品从2021 年6 月开始已经全部投入量产（样品价格：50 日元～/个，不含税）。

  今后，ROHM 将继续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质，并继续加强具有 ROHM 特色的产品阵容， 为应用产品进一步实现小型化和更低功耗贡献力量。

＜特点＞

通过采用新工艺，RBR 和RBQ 系列与相同尺寸的ROHM 以往产品相比，效率提高了25%，这两个系列的产品分别具有以下特点：

1.RBR 系列

1-1. 具有低VF 特性，损耗更低

RBR 系列不仅保持了与低V_F 特性存在此消彼长关系的低I_R 特性，与相同尺寸的ROHM 以往产品相比，VF 特性降低约25%，损耗更低。因此，不仅非常适用于要求更高效率的车载充电器等车载设备，还非常适用于要求更节能的笔记本电脑等消费电子设备。

此外，与同等性能的产品相比，RBR 系列还可实现芯片的小型化，因此受芯片尺寸影响的封装也可以采用更小型的封装形式。例如，如果以往产品尺寸为3.5mm×1.6mm（PMDU 封装），则通过将其替换为2.5mm×1.3mm 尺寸（PMDE 封装）的产品，可使安装面积减少约42%。

1-2.新增小型封装，产品阵容更丰富

在RBR 系列中，此次新增了12 款 2.5mm×1.3mm 的PMDE 封装产品（消费电子和车载领域各6 款）。至此，该系列已拥有共140 款产品的丰富产品阵容（耐压：30V、40V、60V；电流：1A～40A），进一步扩大了在车载设备和消费电子设备领域的应用范围。

2.RBQ 系列

2-1. 具有低IR 特性，可在高温环境下稳定工作

RBQ 系列采用 ROHM 自有的势垒形成技术，实现了非常适合开关电源的 V_F 特性和 I_R 特性之间的平衡。与 ROHM 以往产品相比，反向功率损耗降低了60%，可进一步降低高温环境下热失控的风险。因此，该系列产品非常适用于需要在高温环境中工作的汽车动力系统和工业设备用的电源等应用。

2-2. 新增100V 产品，产品阵容更丰富

在RBQ 系列中，此次新增了12 款100V 产品（消费电子和车载领域各6 款）。至此，包括共阴极型和单芯片型产品在内，该系列已拥有共38 款产品的丰富产品阵容（耐压：45V、65V、100V；电流：10A～30A）。

＜术语解说＞

※1）肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode：SBD）

利用金属与和半导体接触形成肖特基结、从而获得整流性能（二极管特性）的二极管。没有少数载流子存储效应，具有优异    的高速特性。

※2）正向电压： V_F（Forward Voltage）

当电流沿从＋到－的方向流动时产生的电压降。该值越低，效率越高。

※3）反向电流： I_R（Reverse Current）

施加反向电压时产生的反向电流。该值越低，功耗（反向功耗）越小。

※4）热失控

当向二极管施加反向电压时，内部的芯片发热量超过了封装的散热量，导致I_R值增加，最终造成损坏的现象称为“热失控”。I_R 值高的SBD 尤其容易发生热失控，因此在设计电路时需要格外注意。

※5）汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

AEC 是Automotive Electronics Council 的缩写，是大型汽车制造商和大型电子元器件制造商联手制定的针对汽车电子元器件的可靠性标准。Q101 是有关分立半导体元器件（晶体管、二极管等）的标准。

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