Nexperia | 新8英寸晶圆生产线启动，首批产品为行业领先的Qrr品质因数80 V/100 V MOSFET

2021-06-26 10:00:29 709 0 0

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基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）今日宣布，位于英国曼彻斯特的新 8 英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低 RDS(on) 和低Qrr ，80 V 和 100 V MOSFET。新生产线将立即扩大 Nexperia（安世半导体）的产能，新的 PSMN3R9-100YSF（100 V）和 PSMN3R5-80YSF（80 V）器件将具有行业内极低的 Qrr 品质因数（RDS(on) x Qrr）。

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Nexperia 产品经理 Mike Becker 指出：

鉴于全球半导体短缺的情况下，Nexperia积极投资全球制造工厂以提高产能，包括曼彻斯特和菲律宾的MOSFET生产设备，这对买方来讲一个好消息。新型MOSFET的性能也令设计人员感到兴奋。这些MOSFET非常适合各种开关应用，也可以替代其他供应商的产品。

NextPower 80 V 和 100 V 芯片 MOSFET 可以显著降低RDS(on)，前一代 100 V 器件为 7 mΩ，而新器件只有 4.3 mΩ，效率大大提高。对于 100 V 器件，NextPower 技术还提供 44 nC 的极低 Qrr，有效降低了尖峰值和 EMI 干扰。总体而言，100 V 器件的 Qrr 品质因数平均比竞争对手同类产品低 61%。

新的 80 V 和 100 V MOSFET 采用具有高热性能和电气性能的 Nexperia LFPAK56E 铜夹片技术封装。器件广泛适用于开关应用，包括 AC/DC、DC/DC 和电机控制等。

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