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封装/外壳

工作温度

连续漏极电流Id

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描述
关键参数
单价(含税)
库存
ISC015N04NM5
自营

-

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

ISC080N10NM6
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™ OptiMOS TM6 Power-Transistor,100V

封装/外壳 : PG-TDSON-8 FL

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

TDSON-8-1 N-Channel -55°C~150°C ±20V 150V 50A 19mΩ@50A,10V 125W

封装/外壳 : TDSON-8-1

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 150V

连续漏极电流Id : 50A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 19mΩ@50A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 125W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC040N10NS5
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : PG-TDSON-8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 4mΩ@50A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 139W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC014N04LS
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : SuperSO8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.4mΩ@50A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 96W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSZ039N06NS
自营

-

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC010N04LS
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : PG-TDSON-8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1mΩ@50A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 139W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

N-Channel -55°C~150°C 20V 100V 42A 13.9mΩ 60W

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : 20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 42A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 13.9mΩ

Pd-功率耗散(Max) : 60W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

TDSON-8-5 N-Channel -55°C~150°C ±20V 80V 23A 34mΩ@12A,10V 32W

封装/外壳 : TDSON-8-5

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 80V

连续漏极电流Id : 23A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 34mΩ@12A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 32W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSZ019N03LS
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : PG-TSDSON-8-FL

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 149A

Pd-功率耗散(Max) : 69W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.9mΩ@20A,10V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSZ034N04LS
自营
功率MOSFET

N-Channel -55°C~150°C 20V 40V 40A 2.7mΩ 52W

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : 20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 40A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.7mΩ

Pd-功率耗散(Max) : 52W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

ISC011N03L5S
自营
功率MOSFET

PG-TDSON-8-1 N-Channel -55℃~150℃ ±20V 30V 100A 1.1mΩ@30A,10V 96W

封装/外壳 : PG-TDSON-8-1

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.1mΩ@30A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 96W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

ISC130N20NM6
自营
功率MOSFET

PG-TSON-8-3 N-Channel -55℃~175℃ ±20V 200V 88A 242W 11.7mΩ@ 50A,15V

封装/外壳 : PG-TSON-8-3

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~175℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 200V

连续漏极电流Id : 88A

Pd-功率耗散(Max) : 242W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 11.7mΩ@ 50A,15V

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

BSC098N10NS5
自营
功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : PG-TDSON-8-7

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 60A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 9.8mΩ@30A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 69W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

SuperSO8 N-Channel -55°C~150°C 2.8V,2V,3.5V 80V 100A 5.7mΩ

封装/外壳 : SuperSO8

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : 2.8V,2V,3.5V

漏源极电压Vds : 80V

连续漏极电流Id : 100A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 5.7mΩ

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

功率MOSFET

系列:OptiMOS™

封装/外壳 : TDSON-8-1

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 250V

连续漏极电流Id : 25A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 60mΩ@25A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 125W

库存:5,000

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-5天

IRFH7440TRPBF
自营
功率MOSFET

Single N-Channel 40 V 104 W 92 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

封装/外壳 : 8-PQFN(5x6)

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 40V

连续漏极电流Id : 159A

Pd-功率耗散(Max) : 104W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 2.4mΩ@50A,10V

找替代

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

IRF7103TRPBF
自营
功率MOSFET

Dual N-Channel 50 V 2 W 12 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8

封装/外壳 : 8-SO

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

漏源极电压Vds : 50V

连续漏极电流Id : 3A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 130mΩ@3A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 2W

找替代

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

IRF7342TRPBF
自营
功率MOSFET

Dual P-Channel 55 V 0.17 Ohm 38 nC 2 W Generation V SMT Mosfet - SOIC-8

封装/外壳 : 8-SO

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

漏源极电压Vds : 55V

连续漏极电流Id : 3.4A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 105mΩ@3.4A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 2W

找替代

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

IRF7401TRPBF
自营
功率MOSFET

Single N-Channel 20 V 2.5 W 48 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8

封装/外壳 : 8-SO

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±12V

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 8.7A

Pd-功率耗散(Max) : 2.5W(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 22mΩ@4.1A,4.5V

库存:4,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-5天

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