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HCD80R850
自营
通用MOSFET

TO-252 N-Channel -55℃~150℃ ±20V 800V 6.6A 850mΩ@1.6A,10V 66W

封装/外壳 : TO-252

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55℃~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 800V

连续漏极电流Id : 6.6A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 850mΩ@1.6A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 66W

库存:10,000

客服询价

MPQ:2,500

交期:3天-5天

HCD65R380
自营

-

库存:0

客服询价

MPQ:2,500

-

库存:0

客服询价

MPQ:2,500

封装/外壳 : TO-220F

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

封装/外壳 : TO-220F

库存:0

客服询价

MPQ:1,000

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