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过滤结果 : 1007

封装/外壳

工作温度

连续漏极电流Id

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1007 1/51
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商品
描述
关键参数
单价(含税)
库存
MGSF1N02LT1G
严选
通用MOSFET

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3

封装/外壳 : SOT-23-3(TO-236)

找替代

库存:142,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

NTZD3155CT2G
严选

封装/外壳 : SOT-563

找替代

库存:136,000

客服询价

MPQ:4,000

交期:3天-15天

FDN5618P
严选
通用MOSFET

P-Channel 60 V 0.170 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3

封装/外壳 : SOT-23-3

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150℃

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : -60V

连续漏极电流Id : -1.25A

Pd-功率耗散(Max) : 0.5W

Rds On(Max)@Id,Vgs : 230mΩ@-1A,-4.5V

找替代

库存:92,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

NTJD4401NT1G
严选
通用MOSFET

MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363

封装/外壳 : SC-88/SC70-6/SOT-363

找替代

库存:84,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

FDD3860
严选
通用MOSFET

N-Channel 100 V 36 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - DPAK-3

封装/外壳 : TO-252-3,Dpak,SC-63

封装/外壳 : DPAK

封装/外壳 : TO-252AA

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 100V

连续漏极电流Id : 6.2A(Ta)

连续漏极电流Id : 6.2A

Pd-功率耗散(Max) : 3.1W(Ta),69W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 36m Ohms@5.9A,10V

找替代

库存:67,500

客服询价

MPQ:2,500

交期:3天-15天

FDS86242
严选
通用MOSFET

Single N-Channel 150 V 2.5 W 13 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8

封装/外壳 : 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/外壳 : SOIC

封装/外壳 : 8-SOIC

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 150V

连续漏极电流Id : 4.1A(Ta)

连续漏极电流Id : 4.1A

Pd-功率耗散(Max) : 2.5W(Ta),5W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 67m Ohms@4.1A,10V

找替代

库存:67,479

客服询价

MPQ:2,500

交期:3天-15天

NTJD4001NT1G
严选

封装/外壳 : SOT-363

找替代

库存:60,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

FDD5N50FTM-WS
严选
功率MOSFET

MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK

封装/外壳 : NA

库存:50,000

客服询价

MPQ:2,500

交期:3天-15天

FDME1024NZT
严选
通用MOSFET

FDME1024NZT Series 20 V 3.8 A 66 mOhm Dual N-Ch PowerTrench Mosfet - MicroFET-6

封装/外壳 : 6-MicroFET(1.6x1.6)

封装/外壳 : MicroFET

FET类型 : 2N-Channel

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

漏源极电压Vds : 20V

连续漏极电流Id : 3.8A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 66m Ohms@3.4A,4.5V

Pd-功率耗散(Max) : 600mW

库存:45,465

客服询价

MPQ:5,000

交期:3天-15天

2N7002ET1G
严选
小信号MOSFET

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

封装/外壳 : SOT-23-3(TO-236)

找替代

库存:39,600

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

NTMD4N03R2G
严选
通用MOSFET

MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC

封装/外壳 : 8-SOIC

找替代

库存:37,500

客服询价

MPQ:2,500

交期:3天-15天

FDMA7632
严选
通用MOSFET

MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

封装/外壳 : 6-WDFN 裸露焊盘

封装/外壳 : 6-MicroFET(2x2)

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 9A(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 19 毫欧 @ 9A,10V

库存:35,900

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

FDMS6673BZ
严选
通用MOSFET

FDMS6673BZ Series -30 V -82 A 6.8 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet - Power56

封装/外壳 : 8-PowerTDFN

封装/外壳 : Power

封装/外壳 : 8-PQFN(5x6)

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±25V

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 15.2A(Ta),28A(Tc)

连续漏极电流Id : 15.2A

Pd-功率耗散(Max) : 2.5W(Ta),73W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 6.8m Ohms@15.2A,10V

找替代

库存:30,600

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

NDS0605
严选
通用MOSFET

P-Channel 60 V 5 Ohm Surface Mount Field Effect Transistor - SOT-23

封装/外壳 : TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/外壳 : SOT-23

封装/外壳 : SOT-23-3

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 180mA(Ta)

连续漏极电流Id : 0.18A

Pd-功率耗散(Max) : 360mW(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 5Ω@500mA,10V

库存:27,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

NTR1P02T1G
严选
通用MOSFET

MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3

封装/外壳 : SOT-23-3(TO-236)

找替代

库存:27,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

2N7002KT1G
严选
小信号MOSFET

SOT-23 N-Channel -55°C~150°C(TJ) ±20V 60V 320mA(Ta) 350mW(Ta) 1.6Ω@500mA,10V

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : N-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 320mA(Ta)

Pd-功率耗散(Max) : 350mW(Ta)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 1.6Ω@500mA,10V

找替代

库存:26,423

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

FDS4935BZ
严选
通用MOSFET

Dual P-Channel 30 V 1.6 W 40 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8

封装/外壳 : SOIC

封装/外壳 : 8-SOIC

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

漏源极电压Vds : 30V

连续漏极电流Id : 6.9A

Rds On(Max)@Id,Vgs : 22m Ohms@6.9A,10V

Pd-功率耗散(Max) : 900mW

找替代

库存:22,500

客服询价

MPQ:2,500

交期:3天-15天

FDMC5614P
严选
通用MOSFET

P-Channel 60 V 100 mOhm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - Power33

封装/外壳 : 8-PowerWDFN

封装/外壳 : MLP

封装/外壳 : 8-MLP(3.3x3.3)

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : 60V

连续漏极电流Id : 5.7A(Ta),13.5A(Tc)

连续漏极电流Id : 5.7A

Pd-功率耗散(Max) : 2.1W(Ta),42W(Tc)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 100mΩ@5.7A,10V

库存:21,660

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

功率MOSFET

MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN

封装/外壳 : QFN-8

产品特性 : 车规

库存:21,000

客服询价

MPQ:1,500

交期:3天-15天

NTR4502PT1G
严选
小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel -55°C~150°C(TJ) ±20V -30V -1.13A 400mW(Tj) 200mΩ@-1.95A,-10V

封装/外壳 : SOT-23

FET类型 : P-Channel

工作温度 : -55°C~150°C(TJ)

栅极电压Vgs : ±20V

漏源极电压Vds : -30V

连续漏极电流Id : -1.13A

Pd-功率耗散(Max) : 400mW(Tj)

Rds On(Max)@Id,Vgs : 200mΩ@-1.95A,-10V

找替代

库存:18,000

客服询价

MPQ:3,000

交期:3天-15天

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